DSB321SDA晶振,溫補晶振,1XTW16367CFB晶振
頻率參數(shù):16.367667MHZ
電源電壓:3.3V
輸出負載: 10PF
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±1.5ppm
輸出方式：CMOS
尺寸：大體積3.2*2.5*0.9mm
應用：網(wǎng)絡控制設備,光纖通道,工業(yè)機器人,大型機械設備,智能家居系統(tǒng),導航定位衛(wèi)星,輪船機器控制設備,井下探測儀器等產(chǎn)品.

       目前KDS本土工廠的產(chǎn)品主要向小尺寸方向發(fā)展,其最小量產(chǎn)尺寸為1612.KDS天津工廠現(xiàn)所生產(chǎn)的小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm貼片晶振體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能.
       日本大真空株式會社,【KDS】品牌,實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術更新從未間斷.
產(chǎn)品說明:
       DSB321SDA晶振,溫補晶振,1XTW16367CFB晶振,3225mm貼片型金屬表面有源晶體振蕩器,是KDS重點推出一款帶有溫度補償功能的溫補晶振,其作用原理就是當產(chǎn)品周圍溫度發(fā)生較大變化時,可以將溫度控制在±0.5ppm~±2.0ppm,很好的解決產(chǎn)品發(fā)熱問題,應用在智能手機上面,能防止并減少手機爆炸事件的發(fā)生,目前DSB321SDA晶振在智能手機領域受到大量的應用,高精度,低電流讓手機在使用的過程中穩(wěn)定性更好,節(jié)省電源.
產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)圖:

溫補晶振	標示	DSB321SDA	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	16.367667MHz
電源電圧	Vcc	＋3.3V
輸出電流	Icc	2.0  mA max.	Vcc=3.3V
出力負載	L_CMOS	10pF	CMOS 出力
標準頻率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、 周波數(shù)溫度特性、 電源、負荷変動特性、 経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=10pF

產(chǎn)品尺寸圖:

產(chǎn)品注意事項:
機械振動的影響
當石英晶體振蕩器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導
(1) 理想情況下，機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存貼片晶振產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
產(chǎn)品工作條件:
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過單元的電流，
Re表示單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
 
2.振蕩補償
除非在電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加SMD晶振啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極
3.負載電容
如果電路中負載電容的不同，可能導致進口晶振頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。